Le présent article développe une analyse formelle de la technique des tavelures obscures, notamment en ce qui concerne l'effet d à la taille finie des pixels. Les lois de probabilité à fort flux sont d'abord évaluées. Celles en comptage de photoélectrons sont ensuite déduites par transformation de Poisson-Mandel. Le calcul passe par l'écriture des fonctions caractéristiques de l'intensité lumineuse. Des expressions formelles sont établies pour le cas général et pour celui particulier d'une structure de tavelures complètement développées. L'application du calcul à la technique de tavelures obscures est directe: la probabilité de détection de `0' photoélectron dans un pixel, calcul de base pour cette technique, s'écrit comme une valeur particulière de la fonction caractéristique à fort flux. Plusieurs résultats sont obtenus. Pour un temps total d'observation donné, il existe un nombre optimum d'images (temps de pose optimum) maximisant le rapport signal sur bruit (S/B). La perte induite par utilisation de pixels de tailles finies dépend fortement, en plus de paramètres purement géométriques, du nombre moyen de photons par pixel. On peut éviter le sur-échantillonnage prôné par les études précédentes, à condition de bien choisir le temps de pose. S'il n'est pas possible d'augmenter autant que souhaitable le nombre d'images, un meilleur rapport S/B peut être obtenu par seuillage des images à un niveau de plusieurs photoélectrons. La comparaison du rapport S/B de la technique des tavelures obscures avec celui d'une expérience à long temps de pose est discutée.

Analyse de la technique de tavelures obscures pour la détection d'exo-planètes

The present paper gives a formal analysis of the dark speckle technique, in particular concerning the effect due to the finite pixel size. Probability laws for the high light level case are established first. Photon counting laws are then obtained using the Poisson-Mandel transform. The computation makes use of the characteristic function of the light intensity. Formal expressions for the general case and for the particular case of a fully developed speckle pattern are given. The application of the computation to the dark speckle technique is immediate: the probability of detecting `0' photoelectron in a pixel can be written as a particular value of the high light level characteristic function. Several results are obtained. For a given fixed overall integration time, there is an optimum number of images to take that maximizes the signal-to-noise ratio (SNR). The loss of contrast induced by use of extended pixels is shown to depend, besides on a geometrical effect, on the average number of photons per pixel. For a given overall observation time, an optimum number of frames (or exposure time) may be defined. The problem of oversampling indicated by the previous analyses of others might be partly overcome by choosing an adequate exposure time. If the number of frames cannot be increased as needed, a better SNR may be obtained by clipping the images at the level of several photoelectrons. A comparison of the SNR of the dark speckle technique with that of a long time exposure experiment is discussed.