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The formation of a charge layer at the interface of GaMnAs and an organic material

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Wenjin Chen1, Baikui Li1, Hongtao He1, Jiannong Wang1, Hoi Lam Tam2, Kok Wai Cheah2, Xiancun Cao3, Yuqi Wang3, Guijun Lian4 and Guangcheng Xiong4

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